来自 养生 2019-09-11 20:04 的文章

教育部专家论证我校宽禁365bet官网:带半导体材料实验室建设计划

  



  2004年6月22日,教育部科技司组织专家对西安电子科技大学“宽禁带半导体材料” 教育部重点实验室建设计划进行了论证。专家组由沈绪榜院士为组长的六位专家构成,教育部科技司、陕西省科技厅的领导参加了会议。
  段宝岩校长首先代表学校致欢迎词,向各位与会领导和专家在百忙之中对我校的建设和发展所做的辛勤工作表示衷心的感谢。教育部科技司雷忠良处长就重点实验室在国民经济建设和高层次人才培养中的地位与作用、实验室建设的关键环节等方面进行了阐述,要求与会专家严格把关,为实验室的建设献计献策。随后微电子研究所所长杨银堂教授汇报了“宽禁带半导体材料”教育部重点实验室的建设方案,建设方案就实验室的研究方向、研究内容、预期目标、队伍建设及人才培养计划、实验室平台建设与经费、实验室管理运行机制、实验室主任招聘计划、学术委员会提名与介绍等方面进行了重点汇报。郝跃副校长代表学校就学校对重点实验室的支持措施和经费安排与落实做了重点说明。与会的各位专家就实验室建设方案、学校的有关保障措施等问题进行了提问质询,并与实验室负责人和学术骨干进行了交流座谈。随后专家组成员现场考察了“宽禁带半导体材料”教育部重点实验室,参观了西大楼400平方米的净化实验室和科技楼二期工程。
  



  



  



  专家组经讨论后一致认为宽禁带半导体材料是材料科学研究领域国际前沿的重要研究方向之一,对于国民经济建设、国家安全保障、社会进步和科学技术发展具有十分重要的意义。西安电子科技大学在该领域已建立了必要的基础条件,开展了系统的研究工作,在以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料生长、表征、改性和应用等方面已形成显著的特点和优势,取得了一系列重要的研究成果,形成了一支结构合理的研究队伍。专家组同时表示宽禁带半导体材料教育部重点实验室建设目标具体、明确,经过努力是可以实现的,与会专家一致同意实验室建设计划。
  “宽禁带半导体材料”教育部重点实验室是2003年5月组织申报的,申报过程中得到了校领导、校学术委员会、科研处和微电子所等单位的高度重视。2003年11月教育部批准立项建设。(微电子研究所 柴常春)
  



  



  


文章来源: 皇冠体育 http://www.ksycdp.com